化學組成BN%：99% 其他成分：no 密度：＞2.15g/cm3 里氏硬度：450HL
抗彎強度：95Mpa 熱膨脹系數（25℃-1200℃）：1~2（10-6/K)
熱導率（常溫）：35W/mk *高使用溫度：空氣900℃、真空1600℃、惰性氣氛1800℃
常溫電阻率：＞1014Ω.cm

產品優勢
● 采用國際先進工藝高溫氮化硼原料，確保材料純度及耐高溫性能。
● 材料致密度高，抗氧化性能好，導熱性好，加工精度高，尤其適用于半導體、微電子等設備配件的用途。
● 具備高耐熱性、低熱膨脹系數、良好的抗熱震性能以及良好的耐腐蝕性。


典型應用
● 應用于半導體行業的擴散源、離子注入設備備件等。
● MOCVD絕緣板，半導體單晶及III－V族化合物合成用的坩堝、基座等。
● 應用于分子束外延，原位合成GaAs 、InP 、GaP單晶的LEC系列坩堝等。

專業服務
● 免費為客戶提供樣品，為您提供滿意的質量和服務。
● 接受試銷訂單，可以寄送單個樣品，并提供大宗訂單折扣。
● 設備先進，加工精度高，尺寸規格多，可按照客戶要求定制。
● 100%的產品保證，及時跟進客戶的反饋意見；海外訂單,如果有任何質量問題,請提供照片顯示問題通過電子郵件，我們將根據實際情況提供替代品。

我司根據客戶要求，提供各種規格氮化硼制品件、精密件（嚴格按客戶圖紙或來樣加工）。歡迎來電詳詢！