近日，中宜創芯宣布成功將碳化硅粉體純度突破8N，粉體純度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行業紀錄。這一里程碑標志著我國在高端第三代半導體材料領域的核心關鍵技術實現重大突破，不僅打破了國際壟斷，也為中國芯片產業鏈安全注入了堅實基礎。

碳化硅單晶生長，純度是*個門檻

碳化硅是目前發展*成熟的第三代半導體材料，被應用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線通信等多個領域。而其粉體純度直接影響單晶生長質量和電學性能——尤其對大尺寸碳化硅襯底（如8英寸）。

一般認為，SiC粉料顆粒尺寸不宜過小，過小粉料分解速率較快，會導致SiC單晶生長速度過快，使得生長的SiC單晶質量不容易控制。除此之外，碳化硅襯底使用環境的不同生長用粉料合成技術也存在工藝不同，對于N型導電性單晶生長用粉料，要求雜質純度高、物相單一；而對于半絕緣型單晶生長用粉料，則需要對氮含量進行嚴格的控制。目前SiC粉體合成方法多樣，但適用于單晶生長的高純粉料制備方法有限，因此，制備高純SiC粉料一直是SiC單晶生長領域的研究熱點。

中宜創芯：多環節創新突破

在此次純度提升之前，中宜創芯SiC半導體粉體500噸生產線已經成功達產，產品純度*高達到99.99999%，成功吸引了30多家企業和研究機構進行試用和驗證。

為了實現純度的再次突破，中宜創芯在多個核心環節的系統性創新突破：首先中宜創新改變傳統分碳化硅破碎方式，自主引進國內首臺新型無污染碎料裝置，避免傳統破碎引入金屬或非碳化物雜質。其次，采用先進的粉體合成爐和自動化無污染破碎技術，不斷優化研發流程，不僅將碳化硅粉體純度提升至8N8，還將正品率由55%增至85%，徹底攻破行業“卡脖子”難題。

中宜創芯所生產的碳化硅粉體產品具有顆粒度大、純度高、α相含量高（α-SiC）和游離碳低等優點，特別適合8英寸碳化硅厚單晶晶錠的生長。此前，該公司實驗室已成功生長出河南省*塊8英寸碳化硅單晶晶錠，驗證了其碳化硅粉體在長晶方面的優勢。近日，中宜創芯的碳化硅粉體也順利通過三安光電的產品驗證，意味著產品品質得到了認可。

與此同時，中宜創芯正加速推進產業落地。目前，中宜創芯一期500噸碳化硅半導體粉體生產線已順利達產。今年年底，二期工程將建成投產，實現2000噸年產能目標。項目全部達產后，集團的碳化硅粉體產品預計在國內市占率將超過30%，全球市場率也將超過10%。