目前現(xiàn)有粉末粒徑：1.3—2微米、5—10微米、15—20微米、20—25微米、30-40微米
用途：薄膜包覆（1-100nm）粉末可作為導電料漿或?qū)щ姳∧さ鹊幕�礎(chǔ)原料，粉末電阻率可小到10*10-5，且粉末體積電阻率可根據(jù)需要調(diào)整。能大幅度提高導電能力和抗高溫氧化能力，減少接觸電阻、防止高頻擊穿。
厚膜包覆(0.1-2μm)可替帶金粉或鈀粉作為高溫封接料漿使用，可應(yīng)用于多晶硅、LED、芯片等領(lǐng)域的封裝。
化學成份：含金量0.5-15%，可根據(jù)客戶需要調(diào)整